APT44F80B2

1个N沟道耐压:800V 电流:47A

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT44F80B2
商品编号: C17666044
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。此 “FREDFET” 版本的漏源(体)二极管经过优化,通过降低 trr、实现软恢复以及具备高恢复 dv/dt 能力,可在零电压开关(ZVS)移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的 Crss / Ciss 比值,带来出色的抗噪性和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt,从而实现低电磁干扰(EMI)和可靠的并联性能,即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。

商品特性

快速开关且 EMI 低
低 trr,可靠性高
超低Crss,抗噪性增强
低栅极电荷
具备雪崩能量额定值
符合 RoHS 标准

应用领域

ZVS 移相及其他全桥电路
半桥电路
功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
降压转换器
单开关和双开关正激电路
反激电路

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	47A
	导通电阻(RDS(on))	210mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	1.135kW
	阈值电压(Vgs(th))	5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	305nC@10V
	输入电容(Ciss)	9.33nF
	反向传输电容(Crss)	160pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	930pF