HN1C03FU-B,LF
NPN 电流:300mA 电压:20V
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- 描述
- 特性:包含两个采用US6封装(6引脚超小型)的器件。 高发射极-基极电压:VEBO = 25V(最小值)。 高反向hFE:反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 12(典型值)(IB = 5mA)。应用:静音和开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- HN1C03FU-B,LF
- 商品编号
- C17665643
- 商品封装
- TSSOP-6(SC-88)SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 300mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 350@4mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 30MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV@30mA,3mA | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 25V | |
| 数量 | 2个NPN |
商品特性
- 包含两个采用US6封装(6引脚超小型)的器件
- 高发射极 - 基极电压:VEBO = 25V (min)
- 高反向hFE:反向hFE = 150 (typ.) (ΔVCE = -2V, Ic = -4mA)
- 低导通电阻:RoN = 1Ω (typ.) (IB = 5mA)
应用领域
- 静音和开关应用
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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