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HN1C03FU-B,LF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HN1C03FU-B,LF

NPN 电流:300mA 电压:20V

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描述
特性:包含两个采用US6封装(6引脚超小型)的器件。 高发射极-基极电压:VEBO = 25V(最小值)。 高反向hFE:反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 12(典型值)(IB = 5mA)。应用:静音和开关应用
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
HN1C03FU-B,LF
商品编号
C17665643
商品封装
TSSOP-6(SC-88)SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.085克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)300mA
集射极击穿电压(Vceo)20V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)350@4mA,2V
属性参数值
特征频率(fT)30MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV@30mA,3mA
工作温度-
射基极击穿电压(Vebo)25V
数量2个NPN

商品特性

  • 包含两个采用US6封装(6引脚超小型)的器件
  • 高发射极 - 基极电压:VEBO = 25V (min)
  • 高反向hFE:反向hFE = 150 (typ.) (ΔVCE = -2V, Ic = -4mA)
  • 低导通电阻:RoN = 1Ω (typ.) (IB = 5mA)

应用领域

  • 静音和开关应用

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