ZSPM9010ZA1R

ZSPM9010 DrMOS 是一款完全优化、超紧凑、集成了 MOSFET 和驱动器的电源级解决方案，适用于高电流、高频的同步降压 DC-DC 应用。该器件采用热增强型超紧凑 PQFN40 封装（6mm×6mm），集成了一个驱动器 IC、两个功率 MOSFET 以及一个自举肖特基二极管。通过集成化设计，其完整的开关电源级针对驱动器和 MOSFET 的动态性能、系统电感以及功率 MOSFET 的 RDS(ON) 进行了优化。它采用了创新的高性能 MOSFET 技术，显著降低了开关振铃，从而在大多数降压转换器应用中无需使用缓冲电路。创新的驱动器 IC 具有更短的死区时间和传播延迟，进一步提升了性能。其热警告功能可在潜在的过热情况下发出警报。该器件还集成了诸如跳频模式等功能，以提高轻载效率，并采用三态 3.3V 脉宽调制输入，以兼容广泛的 PWM 控制器。ZSPM9010 DrMOS 与 IDT 的 ZSPM1000 兼容，后者是一款用于非隔离负载点电源的前沿可配置数字电源管理系统控制器。

• 基于 Intel 4.0 DrMOS 标准
• 高电流处理能力：高达 50A
• 高性能铜夹封装
• 三态 3.3V PWM 输入驱动器
• 跳频模式输入
• 过热条件警告标志
• 驱动器输出禁用功能
• 内部上拉和下拉电阻
• 低侧 MOSFET 中集成了肖特基二极管技术
• 集成自举肖特基二极管
• 自适应栅极驱动时序，用于防止直通
• 欠压锁定
• 针对高达 1MHz 的开关频率进行了优化

• 电信交换机
• 服务器和存储设备
• 台式计算机
• 工作站
• 高性能游戏主板