ALD810026SCL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22000MΩ@2.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.62V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMLDM8005由双P沟道增强型硅MOSFET组成，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻rDS(ON)和低阈值电压。
商品特性
- 使用简单且经济
- 工厂精密微调
- 自动调节和平衡漏电流
- 有效实现超级电容器电荷平衡
- 单个IC封装可平衡多达4个超级电容
- 可平衡2节、3节、4节串联的超级电容
- 可扩展至更大的超级电容组和阵列
- 几乎零额外漏电流
- 在额定电压以下0.3V时零漏电流
- 可平衡串联和/或并联连接的超级电容
- 漏电流是电池电压的指数函数
- 有源电流范围从< 0.3 nA到>1000 μA
- 始终处于工作状态,响应时间快
- 最小化漏电流和功耗
应用领域
-串联超级电容器单元漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功耗分压器-匹配电流镜和电流源-零功耗模式最大电压限制器-扩展的超级电容器组和阵列
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