CXT-PLA3SA12450AA

CXT - PLA3SA12450A是一款三相1200V/450A的碳化硅MOSFET智能功率模块，它基于CISSOID HADE S2芯片组集成了功率开关和栅极驱动器。该模块采用针翅式底板，适用于高功率密度水冷转换器，是为在高结温（最高达175°Cₐ'）下运行而设计的碳化硅功率模块。由于开关损耗低且可在高温下运行，该解决方案能充分发挥碳化硅技术的优势，实现高功率密度。栅极驱动器与功率模块的集成，在开关速度和损耗、抗dI/dt和dV/dt能力以及功率级保护（去饱和、欠压锁定、有源米勒钳位、软关断）方面，提供了一个经过充分验证和优化的解决方案。

"- VDS击穿电压：1200V

• 低RDSON1：典型值3.25mΩ
• 最大连续电流：典型值450A（Tc = 25°C时）；典型值350A（Tc = 90°C时）
• 热阻（J2C）：典型值0.13°C/W
• 工作结温（功率器件）：175°C
• 600V/300A时的开关能量：Eon = 8.42mJ，Eoff = 7.05mJ
• 开关频率：最大50kHz
• 隔离（底板 - 功率引脚）：3600VAC @ 50Hz（1分钟）
• 共模瞬态抗扰度：>50kV/µs
• 尺寸：104（宽）×154（长）×34（高）mm
• 重量：590g
• 单电源（VCC）：+12V至+18V
• 最大工作环境温度（栅极驱动器）：125°C
• 隔离（初级 - 次级）：3600VAC @ 50Hz（1分钟）
• 寄生电容：每相典型值11pF
• PWM输入信号：5V施密特触发器输入，高电平有效（可选低电平有效）
• 开漏故障报告：每相每侧（上或下）可选
• 导通/关断延迟：典型值180ns
• 欠压锁定（UVLO）：VCC和内部生成的次级电源上
• 去饱和保护
• 软关断（SSD）
• 负栅极驱动（-3V）
• 有源米勒钳位（AMC）
• 栅源短路保护"