商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 10V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 90mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | P沟道 |
- SP1812R-273H
- SIT8208AI-83-18S-33.300000
- M83723/59-114RN
- XBDAWT-00-0000-00000BEF4
- SIT9120AC-2B2-33E74.250000
- SIT9365AI-1B2-28N161.132813
- 160G40
- SI5338K-B02423-GMR
- 5-640440-2
- RS1A_R1_00001
- H3161-01
- 380-40-101-00-001000
- 1-2842285-0
- 2000126-1
- GCM216R72A223MA37D
- IT132 PDIP 8L ROHS
- 8086-0-00-01-00-00-33-0
- VPT30-830
- DS75U-C12/T&R
- 33_SMA-N-50-51/1--_UE
- D38999/20ME2BD

