PMDPB56XNEA,115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
采用表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN/PNP双电阻型晶体管（RET）。
商品特性
- 输出电流能力达100 mA
- 内置偏置电阻
- 简化电路设计
- 减少元件数量
- 降低贴装成本
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 低电流外设驱动器
- 控制IC输入
- 在数字应用中替代通用晶体管
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