NTE5640
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 100V | |
| 通态电流(It) | 2.5A | |
| 门极触发电流(Igt) | 25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电压(Vgt) | 2.2V | |
| 保持电流(Ih) | 15mA | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
商品特性
- 重复峰值断态电压(门极开路,TJ = +100°C):NTE5640为100V,NTE5641为200V,NTE5642为400V,NTE5643为600V
- 均方根导通电流(TC = +75°C,导通角360°):2.5A
- 峰值浪涌(非重复)导通电流(50Hz或60Hz下一个周期):30A
- 峰值门极触发电流(3μs最大值):1A
- 峰值门极功率耗散(IGT ≤ IGTM,3μs最大值):20W
- 平均门极功率耗散:200mW
- 熔断电流(用于双向可控硅保护,T = 1.25至10ms):3A²s
- 工作温度范围:-40°C至+100°C
- 储存温度范围:-40°C至+150°C
- 典型热阻,结到外壳:4°C/W
- BLC2041-BK-WB
- SG-8018CG 23.0000M-TJHPA0
- 8D513K08BN
- K86X-AD-26P-KJ30
- ST-JL05-20P-C1-100
- 3QHM53C1.5-38.7072
- HTST-110-04-F-D-RA
- 150-10-428-00-012101
- SIT8208AI-8F-25S-74.176000T
- 304-8810-000
- SIT1602BI-21-XXE-4.096000
- L130-2780HE1400005
- SIT8209AC-81-18S-166.660000
- SXO22C3C481-27.000M
- SIT8924BA-78-18E-24.000000
- PTS1206M2B1K00PU00
- SIT8208AC-81-25E-19.200000
- 202515-4
- 1N3163R
- SG-8018CG 9.123456M-TJHSA0
- 0025-257-3014

