BLP05H6250XRY
BLP05H6250XRY
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLP05H6250XRY
- 商品编号
- C17660854
- 商品封装
- HSOPF-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@3.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 39pF |
商品概述
适用于基站应用的300瓦LDMOS功率晶体管，工作频率范围为700兆赫兹至1000兆赫兹。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 较低的输出电容，在Doherty应用中表现更佳
- 专为低记忆效应设计，具有出色的预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS 2002/95/EC）
应用领域
适用于700兆赫兹至1000兆赫兹频率范围的多标准和多载波应用的射频功率放大器
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