TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6
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- 描述
- TC58BYG0S3HBAI6是一款1.8V供电的1GBit NAND E2PROM，组织结构为(2048 + 64)字节×64页×1024块，适用于固态文件存储、语音记录、图像文件存储等需要高密度非易失性存储的应用。该设备具有片上ECC逻辑，每个528字节可纠正8位错误。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TC58BYG0S3HBAI6
- 商品编号
- C17659935
- 商品封装
- VFBGA-67(6.5x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 330us | |
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
优惠活动
购买数量
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总价金额：
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