TC58BYG0S3HBAI6

1 Gbit CMOS NAND E2PROM

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描述: TC58BYG0S3HBAI6是一款1.8V供电的1GBit NAND E2PROM，组织结构为(2048 + 64)字节×64页×1024块，适用于固态文件存储、语音记录、图像文件存储等需要高密度非易失性存储的应用。该设备具有片上ECC逻辑，每个528字节可纠正8位错误。
品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TC58BYG0S3HBAI6
商品编号: C17659935
商品封装: VFBGA-67(6.5x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	3.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	-
	擦写寿命	-
	功能特性	硬件写保护功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能