TCET1107G

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

• 高共模抑制比
• 电流传输比（CTR）的温度系数低，无铅
• CTR分为7组
• 加强型隔离提供防触电的电路保护（符合安全RoHS II类标准）
• 隔离材料符合UL 94 V-0标准
• 污染等级2（DIN / VDE 0110 / 对应IEC 60664）
• 气候分类55 / 100 / 21（IEC 60068第1部分）
• 额定脉冲电压（瞬态过电压）VIOTM = 6 kV峰值
• 隔离测试电压（局部放电测试电压）Vpd = 1.6 kV
• 额定隔离电压（有效值包括直流）V10WM = 600 VRMS
• 额定重复峰值电压（重复性）VIORM = 848 V峰值
• 根据VDE 0303 / IEC 60112的相比漏电起痕指数，耐漏电起痕性能：CTI ≥ 175

• 根据安全II类（加强型隔离）标准的防触电安全保护隔离电路
• 适用于电源电压≤300 V的应用I至IV类
• 根据DIN EN 60747-5-5（VDE 0884），适用于电源电压≤600 V的应用I至III类，适用于：
  • 开关电源
  • 线路接收器
  • 计算机外设接口
  • 微处理器系统接口