本规格涵盖了作为一个双单元的两个电气隔离、匹配的NPN硅晶体管的性能要求。为每种器件类型提供了四种产品保证等级，为芯片提供了两种产品保证等级。RHA等级标识“M”、“D”、“P”、“L”、“R”、“F”、“G”和“H”被附加到器件前缀以识别通过RHA要求的器件。除非另有规定，TC = +25℃ 。对于TA> +25℃ ，一个部分线性降额1.143 mW /℃，两个部分线性降额2.000 mW / ℃ ；对于TC}> +25℃ ，一个部分线性降额1.714 mW /℃，两个部分线性降额2.571 mW /℃。

	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	NPN
	集电极电流(Ic)	30mA
	集射极击穿电压(Vceo)	60V
	耗散功率(Pd)	350mW

	属性	参数值
	直流电流增益(hFE)	300
	集电极截止电流(Icbo)	10uA
	集射极饱和电压(VCE(sat))	300mV
	工作温度	-

JAN2N2920L

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