- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSM100GB120DN2S7HOSA1
BSM100GB120DN2S7HOSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSM100GB120DN2S7HOSA1
- 商品编号
- C17657347
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 700W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 145A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 290A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.5nF | |
| 输出电容(Coes) | 1nF | |
| 反向传输电容(Cres) | 500pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 260ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 600ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 300ns | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 半桥
- 包含快速续流二极管
- 采用绝缘金属基板封装
- 1731100008
- 620MS064ZN10
- OLED0821-OW-V
- QTM216E-24.000MBE-T
- VS-90APF12L-M3
- 4-641217-3
- SG-8018CG 124.0000M-TJHPA0
- 992G2-BK
- SIT8208AC-82-18E-35.840000
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- XUL526250.000000I
- ADMV4530IQ-EVALZ
- S2M05T-8.000-R
- SG-310SCF 36.0000MB
- XTEAWT-E0-0000-00000HFE7
- AMM20B5A1BHASL156
- BRE.3K.200.KAS
- CA50C2212HLT
- XPGBWT-BE-0000-00M2G
- 1607577
- SRX-SFP-10GE-LR-HPC