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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S-UM5587EF

16通道可编程3电平高压超声波发射波束形成器

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描述
16通道可编程3电平高压超声波发射波束形成器,具有主动T/R开关。
商品型号
S-UM5587EF
商品编号
C17655983
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录其他接口
接口类型SPI;LVDS;CMOS
属性参数值
工作温度0℃~+75℃

商品概述

S-UM5587EF是一款16通道可编程3电平高压超声发射波束形成器。S-UM5587EF包含控制逻辑、波形存储器、延迟计算器、电平转换器、带浮动稳压器的栅极驱动缓冲器、高压大电流MOSFET和有源收发(T/R)开关。

商品特性

  • 输出电压范围:0至±100V
  • 高压脉冲采用2模式电流控制,源电流和灌电流为±1A
  • 有源接地钳位的源峰值电流和灌峰值电流为±0.5A
  • 250Ω有源接地钳位,无阻塞二极管,可防止漏电
  • 在±60V输出、80pF负载条件下,输出频率为20MHz
  • 正负脉冲波形对称,二次谐波失真低
  • 1.8V至3.3V LVCMOS逻辑接口
  • 波形存储器和寄存器,支持100MHz写入/50MHz读取的SPI接口
  • 从触发(TRIG)信号起,公共延迟时间范围为0.2μs至41μs
  • 通道间延迟时间范围为0至2.55μs
  • 采用双沿100MHz LVDS/LVCMOS时钟,通道间延迟时间分辨率为5ns
  • 采用双沿100MHz LVDS/LVCMOS时钟,最小脉冲宽度为10ns,时间分辨率为5ns
  • 28Ω有源T/R开关
  • 每个高压输出端均有降噪二极管
  • 每个高压输出端与电源轨之间均有高压钳位二极管
  • 具备带指示功能的自动热保护
  • 具备上电/下电复位功能,可实现自由的电源排序,在电源突然下降时实现故障安全
  • 采用SOI CMOS技术,无闭锁效应,通道间串扰低
  • QFN - 68(1010)B:68引脚10x10mm QFN封装(符合RoHS标准)

数据手册PDF

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(168个/托盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个168个/托盘

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