NV6134A

GaNFast 功率 IC 集成了高性能增强型 GaN FET 和集成栅极驱动，实现了前所未有的高频和高效率运行。还集成了 GaNSense 技术，可实现实时、精确的电压、电流和温度感应，从而进一步提高性能和稳健性，这是任何分立 GaN 或分立硅器件都无法实现的。GaNSense 使能无损电流感应，消除了外部电流感应电阻并提高了系统效率。GaNSense 还提供短路和过温保护以增加系统稳健性，而自动待机模式则提高了轻载、微小负载及空载效率。这些 GaN IC 结合了最高的 dV/dt 抗扰度、高速集成驱动以及行业标准的小型低电感 SMT QFN 封装，使设计人员能够实现简单、快速且可靠的解决方案。Navitas 的 GaN IC 技术扩展了传统拓扑结构（如反激式、半桥、降压/升压、LLC 及其他谐振转换器）的能力，使其能够在 MHz+ 频率下达到非常高的效率和低 EMI，从而在极具吸引力的成本结构下实现前所未有的功率密度。

• 交流转直流、直流转直流、直流转交流
• 调制反激、有源钳位正激、降压、升压、半桥、全桥、LLC谐振、D类放大器、PFC
• 无线充电，太阳能微逆变器
• LED照明，电视开关电源，服务器，电信设备