DMC3016LDV-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:21A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC3016LDV-7
- 商品编号
- C17653687
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率封装(TSMT8)
- 低电压驱动(4V 驱动)
应用领域
-电源管理功能-模拟开关
- 531FB178M984DGR
- GBEC209-1679B001C1AF
- 09675159658
- 4-644040-3
- 37104-3101-000 FL100
- 590KD61M4400DG
- S6070WTP
- ACML-1206-600-T
- XPGBWT-UE-0000-00HF4
- SIT1602BC-31-33S-4.096000
- TSM75-H50CQ33ST-33.333M-TR
- SI8235AB-D-ISR
- SG-8018CB 10.4858M-TJHSA0
- 0918540581358U
- 0439730003
- MWDM2L-21SSL
- SIT1602AIB83-33E-33.330000
- DCCR37ST
- NT-SMA-G
- IMBD4448-E3-18
- 0878325012

