商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 10.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V |
商品特性
- NPN硅微波功率晶体管,共基极配置
- 宽带C类工作,高效叉指式几何结构,扩散发射极镇流电阻
- 金金属化系统
- 内部输入和输出阻抗匹配,密封金属/陶瓷封装,符合RoHS标准
- T8100-D
- 89160-0101HA
- AFBR-S6EPY12211R
- SG-8018CA 93.2000M-TJHSA0
- MS52000-13 SZ 36
- SIT8208AI-G3-33S-60.000000Y
- K86X-EA-15S-K
- NRCE803K4050B1KS
- 660-009GB14H4-01
- SIT8208AI-G2-33S-33.300000Y
- GCM2165C1K432FA16D
- SIT9366AI-2B2-33E40.000000
- VS-VSKL250-14PBF
- 2-316081-2
- SIT8208AI-8F-28E-3.570000X
- SIT8208AI-31-28E-25.000625
- ELM55MM3GDL
- 147383-2
- 3QHM53D2.0-33.330
- 3QHM53D0.25-43.4835
- 1809653

