APEK4915MLP-01-T

A4915专为三相无刷直流电机的脉宽调制（PWM）电流控制而设计。它能够为6个全N沟道功率MOSFET提供高电流栅极驱动。内部电荷泵确保在低至7V电源时提供栅极驱动，并在低至5V时提供有限的栅极驱动。自举电容用于产生高于高端MOSFET源极电压的电源电压，这是N沟道MOSFET所必需的。内部同步整流控制电路用于改善PWM操作期间外部MOSFET的功耗。内部电路保护包括锁存热关断、死区时间保护和欠压锁定。不需要特殊的上电顺序。A4915采用带外露散热焊盘的28引脚TSSOP（后缀LP）和带外露散热焊盘的28引脚5×5mm QFN（后缀ET）封装。这些封装无铅，引脚框架采用100%雾锡电镀。

• 5至50V电源电压
• 带故障输出的锁存热关断（TSD）
• 驱动6个N沟道高电流MOSFET
• 内部控制同步整流
• 速度电压输入可实现全桥内部PWM占空比控制
• 中心对齐PWM
• 内部欠压锁定（UVLO）和交叉电流保护
• 霍尔开关输入
• 可调死区时间保护
• 适用于电池供电应用的低功耗睡眠模式