商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 随机存取存储器(RAM) | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储器构架(格式) | MRAM | |
| 存储容量 | 1Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 数据防篡改检测功能;写使能锁存功能;块保护功能;上电/掉电/欠压数据保护功能;硬件写保护功能;软件写保护功能 |
商品概述
MR10Q010是一种理想的内存解决方案,适用于那些需要使用少量引脚、低功耗,并可选择24球BGA或16引脚SOIC封装来快速存储和检索数据及程序的应用。Quad SPI模式下的四个I/O接口允许进行非常快速的读写操作,使其成为下一代RAID控制器、服务器系统日志、存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序内存中传统并行数据总线接口的有吸引力的替代方案。使用艾维斯平公司的专利MRAM技术,读写操作可以在内存中随机进行,且写入之间无延迟。支持标准串行外设接口(SPI)、Quad SPI和Quad外设接口(QPI)模式,时钟速率高达104MHz。在所有三种模式下,读命令均支持XIP操作。MR10Q010 Quad SPI MRAM被组织为131,072个8位字。
商品特性
- 高带宽 - 读写速度达52MB/秒
- 使用双用途引脚的Quad I/O,以保持低引脚数
- 可在标准单SPI模式和高速Quad SPI模式下运行
- 通过Quad地址输入和Quad I/O实现快速Quad读写
- 适用于下一代RAID控制器、服务器系统日志、存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序内存
- 数据非易失性,保留时间超过20年
- 掉电时自动数据保护
- 无限的写入耐久性
- 低电流睡眠模式
- 双3.3V VDD / 1.8V VDDQ电源
- 篡改检测功能可检测外部磁场可能导致的数据修改
- 支持Quad外设接口(QPI)模式,以增强就地执行(XIP)操作的系统性能
- MSL 3级
- 符合RoHS标准
- 16引脚SOIC封装
- 24球BGA封装
应用领域
RAID控制器、服务器系统日志、存储设备缓冲区、嵌入式系统数据和程序内存
- NRCE201L2800B1KS
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