商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 104V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@3.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 33.5pF |
商品特性
- 在860 MHz、漏源电压VDS为50 V、静态漏极电流IDq = 0.5 A的条件下的双音性能:
- 峰值包络功率负载功率 = 140 W
- 功率增益 = 21 dB
- 漏极效率 = 49%
- 三阶互调失真 = -34 dBc
- 在858 MHz、漏源电压VDS为50 V、静态漏极电流IDq = 0.5 A的条件下的DVB性能:
- 平均输出功率 = 33 W
- 功率增益 = 21 dB
- 漏极效率 = 34%
- 肩距 = -33 dBc(距中心频率4.3 MHz)
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 出色的可靠性
- 易于功率控制
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
-UHF频段的通信发射机应用-UHF频段的工业应用
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