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SQUN702E-T1_GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:200V 电流:30A
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- 描述
- 特性：优化的三芯片封装。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQUN702E-T1_GE3
- 商品编号
- C17645367
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.474nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 154pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 222pF |
优惠活动
购买数量
(2000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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