IS46TR16K01S2AL-125KBLA2-TR

1Gx16,16Gb DDR3 SDRAM

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品牌名称: ISSI(美国芯成)
商品型号: IS46TR16K01S2AL-125KBLA2-TR
商品编号: C17644218
商品封装: LWBGA-96(10x14)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.414克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

该文档介绍了1Gx16、16Gb DDR3 SDRAM的相关信息，包括其特性、配置、地址表、功能描述及电源上电和初始化的步骤等内容。电源上电和初始化时，需按特定顺序操作，如先施加电源并保持RESET#在0.2×VDD以下至少200us，CKE在RESET#释放前拉低，电源电压在300mV至VDD(min)的斜坡时间不超过200ms等。RESET#释放后等待500us使CKE激活，时钟在CKE激活前需稳定至少10ns或5tCK等。

商品特性

标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V， -0.067V
向后兼容1.5V
高速数据传输速率，系统频率高达800MHz
8个内部存储体，可并发操作
8n位预取架构
可编程CAS延迟
可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
可编程突发长度：4和8
可编程突发序列：顺序或交错
动态突发长度切换
自动自刷新（ASR）
自刷新温度（SRT）
刷新间隔：7.8us（8192周期/64ms），Tc = -40°C至85°C；3.9us（8192周期/32ms），Tc = 85°C至105°C
部分阵列自刷新
异步复位引脚
OCD（片外驱动器阻抗调整）
动态ODT（片上终端）
驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240Ω）
写 leveling
DLL关闭模式下高达200MHz
工作温度：商业级（Tc = 0°C至 +95°C）；工业级（Tc = -40°C至 +95°C）；汽车级A1（Tc = -40°C至 +95°C）；汽车级A2（Tc = -40°C至 +105°C）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3L SDRAM
	时钟频率(fc)	800MHz
	存储容量	16Gbit
	工作电压	1.283V~1.45V