温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- N沟道、逻辑电平
- 100%雪崩测试
- 出色的栅极电荷 x RDS(on)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达150°C
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 适用于高频开关和同步整流
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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