商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(1个/袋，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/袋
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
其他推荐
- EVAL-L9788
- MP-2016-2100-65-70
- S518025T-40.000-X-R
- 166G50
- SQR46301BK
- FFAM102*2T1
- 02-N302-1
- 3QHM572C1.0-55.000
- ISDF-17-D-DS
- C81BXBSYSY6WT55XAA
- SIT1602BC-83-33N-32.768000
- SIT9365AI-4B1-30E133.333333
- VPH4-0060TR-R
- SIT9365AI-1E3-28E50.000000
- 202100-10
- GT8E-24DP-DS(55)
- SIT8208AI-83-28E-66.666000
- DDM-50S-L
- SK010DRP
- 534MC000306DGR
- SG-8018CE 99.9960M-TJHSA0