NTE221
1个N沟道
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE221
- 商品编号
- C17643064
- 商品封装
- TO-72
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
适用于基站应用的400 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2110 MHz至2200 MHz。
商品特性
- 极低的反馈电容
- 高功率增益
应用领域
- 用于2110 MHz至2200 MHz频率范围基站和多载波应用的射频功率放大器
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