- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UMT1N-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 2个PNP |
商品特性
- 一个封装内有两个2SA1037AK芯片，可使用SOT - 363自动贴装机进行贴装
- 晶体管元件相互独立，消除干扰
- 无卤素，“绿色”器件
- 湿度敏感度等级为1级
- 环氧树脂符合UL 94 V.0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准，详见订购信息）
- DPC-12-2000
- APTGT75A120T1G
- 1544351-1
- 874270444
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- 4-640430-6
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- GP-10GSFP-1L-C
- 3QHM572C0.5-25.000
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- SCRH74-330
- AWHW 60G-0102-T
- SIT8208AC-33-33E-74.175824
- RC1005F154CS