PJS6602_S2_00001
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.2A 电流:3.4A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJS6602_S2_00001
- 商品编号
- C17641623
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A;3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V;82mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V;7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 522pF;396pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的30 W塑料LDMOS功率晶体管,工作频率范围为616 MHz至960 MHz。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特殊设计
- 符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑化合物
应用领域
- FDD/TDD 型 LTE
- W-CDMA
- GSM EDGE
- MC-GSM
- CDMA
- WiMAX
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