商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1.1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 33V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 20 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
该射频线路NPN硅功率晶体管主要设计用于200 - 500 MHz频率范围内的宽带大信号驱动和预驱动放大器级。在400 MHz、28 V直流条件下保证性能。输出功率为10 W，功率增益最小为12 dB，效率最小为50%。采用金金属化系统以实现高可靠性，计算机控制的引线键合确保一致的输入阻抗。
商品特性
- 计算机控制的引线键合确保一致的输入阻抗
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