商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 910W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
ARF475FL 是采用 T3A 封装、共源极配置的一对匹配射频功率晶体管。它专为窄带工业、科学和医疗(ISM)频段以及最高 128 MHz 的磁共振成像(MRI)功率放大器中的高压推挽或并联操作而设计。
商品特性
- 规定 500 V、128 MHz 特性
- 输出功率 = 900 W 峰值
- 增益 = 15 dB(AB 类)
- 效率最低 50%
- 高性能推挽式射频封装
- 高电压击穿和大安全工作区(SOA),坚固耐用
- 低热阻
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 直流电机驱动和不间断电源
- 微型太阳能逆变器
其他推荐
- SG-8018CA 156.239060M-TJHPA0
- L128-2290HA35000B4
- SIT9003AI-13-33EB-48.00000Y
- EVAL-433-LC
- RU1608JR100CS
- 325403
- M85049/85-20W01
- 3QHM572C1.0-2.480
- 3-1761713-5
- XMLDCL-00-0000-00C4AABB1
- S40BR
- SG-8018CB 58.8000M-TJHPA0
- SIT1602BI-12-30N-35.840000
- 4-640473-0
- 660-005NF28S6-76
- W25N02KVTCIU
- SPMWHT541MP5WATMS4
- SG-8018CE 7.6800M-TJHPA0
- 0397-0-15-01-06-27-04-0
- S225025T-12.000-X-R
- SIT8008AI-33-33E-6.912000