商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 910W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用了仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过精心设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 规定 500 V、128 MHz 特性
- 输出功率 = 900 W 峰值
- 增益 = 15 dB(AB 类)
- 效率最低 50%
- 高性能推挽式射频封装
- 高电压击穿和大安全工作区(SOA),坚固耐用
- 低热阻
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 直流电机驱动和不间断电源
- 微型太阳能逆变器
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