商品参数
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商品概述
一款三级砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)单片微波集成电路(MMIC)1/2瓦功率放大器,工作频率范围为24至29.5 GHz。在+5.5V电源供电时,可提供24 dB的增益、+28.5 dBm的饱和输出功率以及22.5%的功率附加效率(PAE)。高输出三阶交调截点(IP3)使其非常适合点对点和点对多点无线电系统以及甚小口径终端(VSAT)应用。射频输入/输出(I/O)采用直流隔离,并匹配至50欧姆,便于集成到更高级别的组件中。其漏极电压(Vdd)工作范围为+4.0至+6.0V。
商品特性
- 高1dB压缩点(P1dB)输出功率:+27 dBm
- 高饱和输出功率(Psat):+28.5 dBm
- 高增益:24 dB
- 高输出三阶交调截点(IP3):+38.5 dBm
- 电源电压:+5.5 V(电流350 mA)
- 无需外部匹配
- 24引脚4x4 mm表面贴装(SMT)封装:16 mm²
应用领域
- 点对点无线电
- 点对多点无线电
- 甚小口径终端(VSAT)
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