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TT8M1TR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:2.5A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率封装（TSST8）。 低电压驱动（1.5V驱动）。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- TT8M1TR
- 商品编号
- C17639097
- 商品封装
- TSST-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@1.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
一款350 W的LDMOS射频功率晶体管，适用于广播发射机和工业应用。该器件出色的耐用性使其非常适合数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 出色的耐用性
- 最佳的热性能和可靠性，Rth(j - c) = 0.22 K/W
- 高功率增益
- 高效率
- 专为宽带运行设计（470 MHz至860 MHz）
- 内部输入匹配，实现高增益和最佳宽带运行
- 出色的可靠性
- 易于进行功率控制
- 符合《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）2002/95/EC
应用领域
- UHF频段通信发射机应用-UHF频段工业应用
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