MR1A16AYS35

MR1A16A是一款2,097,152位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，组织形式为131,072个16位字。MR1A16A提供与SRAM兼容的35 ns读写时序，具有无限耐久性。数据始终是非易失性的，保存时间超过20年。通过低压禁止电路在掉电时自动保护数据，防止在电压超出规格时写入。

MR1A16A是必须永久存储并快速检索关键数据和程序的应用的理想内存解决方案。

MR1A16A有小尺寸的48引脚球栅阵列（BGA）封装和44引脚薄型小外形封装（TSOP Type 2）。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。

MR1A16A可在广泛的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商业级（0至 +70 °C）、工业级（-40至 +85 °C）、扩展级（-40至 +105 °C）和AEC - Q100 1级（-40至 +125 °C）工作温度范围选项。

• 快速35 ns读写周期
• SRAM兼容时序，使用现有的SRAM控制器无需重新设计
• 无限读写耐久性
• 数据在温度下20年以上非易失
• 一个存储器可替代系统中的闪存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，实现更简单、更高效的设计
• 用MRAM取代电池供电的SRAM解决方案，提高可靠性
• 3.3伏电源
• 掉电时自动数据保护
• 适用于商业、工业、扩展温度范围
• 可选AEC - Q100 1级
• 所有产品符合MSL - 3湿度敏感度等级
• 符合RoHS标准的SRAM TSOP2和BGA封装
• 128K x 16 MRAM存储器
• 44引脚TSOP2