- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A |
商品特性
- 行业标准62mm封装尺寸
- 高结温（175℃）工作
- 铜基板
应用领域
铁路与牵引、太阳能、电动汽车充电器、工业自动化与测试
- 93221-120TRLF
- 2-2842269-8
- DCME-13W6S-A197
- MDM-37SL2B
- 25QHM572D1.0-2.000
- E52-IC20AY D=4.8 4M
- GP55-1912-FBW
- Q-722
- M80-4172698
- SIT1602BC-71-XXE-28.636300
- PE30L0FR101MAB
- 0417910863
- SIT1602BC-31-XXS-65.000000
- HIF6-50PA-1.27DSA(71)
- 654C9604I3T
- 198-015-213L031
- SIT9365AI-1E1-25E50.000000
- CMB1510-0000-000N0H0A40G
- SIT8008AC-23-18S-12.288000
- 660-024NF13S3-207
- 809S060-3SU