商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 配置 | 半桥 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A |
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