- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 29.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85.3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.16nF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ |
商品特性
- 行业标准62mm封装尺寸
- 高结温（175℃）工作
- 铜基板
应用领域
铁路与牵引、太阳能、电动汽车充电器、工业自动化与测试
- 93221-120TRLF
- 2-2842269-8
- DCME-13W6S-A197
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