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VS-GT100DA120UF
VS-GT100DA120UF
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VS-GT100DA120UF
- 商品编号
- C17638793
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 51.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 890W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 187A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.93V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.15nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 345pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 134ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 242ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 183ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽IGBT高速
- 方形反向偏置安全工作区（RBSOA）
- HEXFRED低反向恢复电荷（Qrr）、低开关能量，符合RoHS标准
- 集电极 - 发射极导通电压（VCE(on)）正温度系数
- 全隔离封装
- 极低内部电感（典型值 ≤ 5 nH）
- 行业标准外形
- 获UL认证，文件编号E78996
- 材料分类：有关合规定义请见www.vishay.com/doc?99912
应用领域
不间断电源（UPS）、开关模式电源（SMPS）、焊接、感应加热
- AZ2800-2A-12DE
- QTM216E-20.000MBE-T
- 1-2013924-1
- 380-10-138-10-003000
- 7443763540068
- SG-8018CA 79.0750M-TJHSA0
- SG-8018CE 60.0870M-TJHSA0
- 660-024B21H5-211
- MS27511B12N
- SI823H7CB-IS1
- MS27474T24B4A
- 653V20006C3T
- UG4C-E3/54
- MX6AWT-01-R250-000CE7
- 3QHM53D4.0-67.500
- TFM-125-32-S-D-A-P-TR
- SIT1602BC-31-25S-40.500000
- JANTX1N4148UB2
- XMAP-05V-S(M8AM)
- 248-8513-000
- DB25-SR-SL