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NSVMUN5116T1G-M02

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NSVMUN5116T1G-M02
商品编号: C17638467
商品封装: SC-70-3(SOT-323)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。在MUN5111DW1T1系列中，两个BRT器件封装在SOT - 363封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用非常理想。

商品特性

-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-提供无铅封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	数量	1个PNP-预偏置
	集射极击穿电压(Vceo)	50V

	属性	参数值
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	202mW
	直流电流增益(hFE)	160