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GT50JR22(STA1,E,S)
600V 50A
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- 描述
- 特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。 增强模式。 高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- GT50JR22(STA1,E,S)
- 商品编号
- C17638066
- 商品封装
- SC-65-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 100A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.2V@15V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.7nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 250ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 330ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 350ns | |
| 工作温度 | - |
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