商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA,2.5mA | |
| 上升时间(tr) | 3us | |
| 下降时间 | 4us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 63% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 125% | |
| 总功耗(Pd) | 170mW | |
| 正向电流(If) | 50mA |
商品概述
VOS615A系列包含一个砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50 mil的迷你扁平封装。 该系列产品的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
商品特性
- 低输入电流下具有高电流传输比（CTR）
- 薄型封装（半间距）
- 高集电极 - 发射极电压，VCEO = 80 V
- 隔离测试电压 = 3750 VRMS
- 低耦合电容
- 高共模瞬态抗扰度
应用领域
- 电信
- 工业控制
- 电池供电设备
- 办公设备
- 可编程控制器
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