TC58NVG2S0HBAI6
4Gbit CMOS NAND E2PROM
- 描述
- TC58NVG2S0HBAI6是一款4Gbit NAND E2PROM，支持3.3V供电，组织结构为(4096 + 256)字节×64页×2048块，具有2.7V到3.6V的工作电压范围和-40到85℃的工作温度范围。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TC58NVG2S0HBAI6
- 商品编号
- C17636305
- 商品封装
- VFBGA-67(6.5x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 25ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 2.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | - |