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SLG59M1730C-EVB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SLG59M1730C-EVB

SLG59M1730C-EVB

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商品型号
SLG59M1730C-EVB
商品编号
C17635777
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录其他模块
类型电源管理
属性参数值
功能特性-

商品概述

SLG59M1730C由2.5 V至5.5 V电源供电,是一款自供电、高性能的33 mΩ、1.0 A单通道pFET负载开关,具有受控的VIN浪涌电流特性。SLG59M1730C的低电源电流和受控的VIN浪涌电流特性使其成为小尺寸个人健康监测器和手表应用中理想的pFET集成负载开关。 使用专有MOSFET设计,SLG59M1730C在整个输入电压范围内实现了低RDS(ON)。通过应用瑞萨的专有CuFET技术,SLG59M1730C可用于高达1 A的应用,采用非常小的0.64 mm² WLCSP封装。

商品特性

  • 集成1 A连续IDS pFET负载开关
  • 低典型RDS(ON):
    • 在VIN = 5.5 V时为33 mΩ
    • 在VIN = 3.3 V时为45.1 mΩ
    • 在VIN = 2.5 V时为56.1 mΩ
  • 输入电压:2.5 V至5.5 V
  • 低典型无负载电源电流:0.004 μA
  • 集成VOUT放电电阻
  • 工作温度:-40°C至85°C
  • 低θJA,4引脚0.8 mm x 0.8 mm、0.4 mm间距4L WLCSP封装
  • 无铅/无卤/符合RoHS标准

应用领域

个人健康监测器、手表

数据手册PDF