- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXYN110N120A4
适用于高达5kHz开关的超低饱和压降PT型IGBT，采用国际标准封装，低导通损耗、高电流处理能力、高功率密度、低栅极驱动要求
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXYN110N120A4
- 商品编号
- C17633129
- 商品封装
- SOT-227B
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 830W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 275A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 950A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 500uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 305nC | |
| 输入电容(Cies) | 6.03nF | |
| 输出电容(Coes) | 340pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 225pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 42ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 550ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 8.4mJ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
1200V XPTTM IGBT GenX4TM，适用于高达5kHz开关频率的超低饱和电压穿通型IGBT。
商品特性
- 采用miniBLOC封装，带有氮化铝隔离
- 国际标准封装
- 隔离电压2500V~
- 针对低传导损耗进行优化
- Vce(sat)具有正温度系数
- 高电流处理能力
- 高功率密度
- 低栅极驱动要求
应用领域
功率逆变器、不间断电源、电机驱动器、开关电源、功率因数校正电路、电池充电器、焊接机、灯镇流器、浪涌电流保护电路
- 3QHM572C0.25-9.216
- QTM325-20.480MCE-T
- ISO1176EVM
- GP55-3321-FTW
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