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ALD212904精密增强型N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些双单片器件是ALD110904 EPAD MOSFET系列的增强版，具有更高的正向跨导和输出电导，特别是在非常低的电源电压下。 ALD212904适用于低电压、低功耗小信号应用，其特点是具有精确的+0.40V阈值电压，这使得输入/输出信号可参考非常低的工作电压范围进行电路设计。使用这些器件，可以构建多级级联电路，使其在极低的电源/偏置电压水平下工作。例如，已成功使用这些器件构建了一个工作电源电压低于0.2V的微功耗输入放大器级。 ALD212904 EPAD MOSFET具有出色的匹配对电气特性，栅极阈值电压VGS(th)精确设置为+0.40V ± 0.020V，在VDS = 0.10V时，IDS = +20μA，典型失调电压仅为± 0.002V（2mV）。它们基于单块芯片构建，还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛，适用于各种模拟小信号应用，如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色，如极低电平电压钳位和微功耗常通电路。 除了精密匹配对电气特性外，每个单独的EPAD MOSFET还具有良好可控的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件专为最小失调电压和差分热响应而设计，可用于+0.1V至+10V（± 0.05V至± 5V）供电系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > +0.40V时，器件呈现增强模式特性；而当VGS < +0.40V时，器件在亚阈值电压区域工作，呈现传统的亚阈值特性，关断和亚阈值电平可控，与标准增强模式MOSFET的工作方式相同。 ALD212904具有高输入阻抗（2.5 × 10^10Ω）和高直流电流增益（>10^8）。在25°C下，漏极输出电流为30mA、输入电流为300pA时，直流电流增益的示例计算为30mA / 300pA = 100,000,000，这意味着动态工作电流范围约为八个数量级。

• 低导通电阻
• 小型表面贴装封装(SOP8)
• 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
• 通过AEC-Q101认证

-开关应用