MCH6635-TL-E

这些P沟道增强型MOSFET采用先进工艺制造，该工艺经过专门设计，可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低线路功耗和快速开关的低压和电池供电应用。

• 低导通电阻。
• 超高速开关。
• 2.5V驱动。
• 在单个封装中包含2个MOSFET的复合类型,便于高密度安装。

• 电池开关-负载开关-电机控制