Si823Hx将两个隔离式栅极驱动器集成到一个封装中，适用于高功率应用。Si823Hx包含具有单控制输入或双控制输入的器件，输出可独立或为高端/低端输出。这些驱动器可在3.0 - 5.5 V的输入电源电压VDD下工作，最大驱动电源电压为30 V。
Si823Hx非常适合驱动各种开关电源和电机控制应用中使用的功率MOSFET和IGBT。这些驱动器采用了思佳讯（Skyworks）专有的硅隔离技术，支持高达5 kV_RMS的1分钟隔离电压。该技术可实现高共模瞬态抗扰度（CMTI）（>125 kV/μs）、更低的传播延迟和偏斜、随温度和时间的变化极小，以及较低的器件间匹配误差。
输出级的独特架构采用了一个升压器件，可在负载功率开关的米勒平台区域提供更高的上拉能力，以支持更快的导通时间。该系列驱动器还具备一些独特的特性，如过温保护、输出欠压锁定（UVLO）故障检测、死区时间可编程，以及在输入侧电源丢失时默认输出低电平的故障安全驱动器。与光耦栅极驱动器相比，Si823Hx系列具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。
提供汽车级产品。这些产品在制造过程的所有环节均采用汽车专用流程，以确保满足汽车应用所需的坚固性和低缺陷率。
