IS43TR16512AL-125KBLI

512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM

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商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

该文档介绍了512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM的功能描述和上电初始化流程。上电初始化需对每个片选控制的存储区域按特定顺序操作，包括施加电源并保持RESET#低电平、等待RESET#释放后等待CKE激活、启动并稳定时钟、处理片内端接状态、等待特定时间后发出MRS命令加载模式寄存器等步骤。

标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V， -0.067V
向后兼容1.5V
高速数据传输速率，系统频率高达933 MHz
8个内部存储体用于并发操作
8n位预取架构
可编程CAS延迟
可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
可编程突发长度：4和8
可编程突发序列：顺序或交错
动态突发长度切换
自动自刷新（ASR）
自刷新温度（SRT）
部分阵列自刷新
异步复位引脚
片外驱动器阻抗调整（OCD）
动态片内端接（ODT）
驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240Ω）
写均衡
DLL关闭模式下高达200 MHz
工作温度：商业级（TC = 0°C至 +95°C）；工业级（TC = -40°C至 +95°C）；汽车级A1（TC = -40°C至 +95°C）；汽车级A2（TC = -40°C至 +105°C）