MRF1K50NR5578
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 133V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.941kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 683pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.77pF | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 219pF |
商品特性
- 高漏源雪崩能量吸收能力
- 无匹配输入和输出,可实现宽频率范围应用
- 器件可单端使用或采用推挽配置
- 在30至50 V电压下进行特性表征,便于使用
- 适用于线性应用
- 集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅源电压范围,可改善C类工作状态
- 推荐驱动器:MRFE6VS25N(25 W)
应用领域
- 工业、科学、医疗(ISM)
- 激光产生
- 等离子体蚀刻
- 粒子加速器
- 磁共振成像(MRI)及其他医疗应用
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 广播
- 无线电广播
- 甚高频(VHF)电视广播
- 移动无线电
- 甚高频(VHF)和超高频(UHF)基站