S80KS5122GABHI020

512 Mb的HYPERRAM™设备是一款高速CMOS自刷新动态随机存取存储器（DRAM），具有HYPERBUST™接口。DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。当HYPERBUST™接口主控（主机）未对存储器进行主动读写操作时，设备内的刷新控制逻辑会管理DRAM阵列的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，对于主机而言，DRAM阵列就像使用了无需刷新即可保留数据的静态单元的存储器。因此，该存储器更准确地应描述为伪静态随机存取存储器（PSRAM）。由于在读写事务期间无法刷新DRAM单元，因此要求主机限制读写突发传输长度，以便在需要时进行内部逻辑刷新操作。如果存储器表明需要进行刷新操作，主机必须限制事务的持续时间，并在新事务开始时允许额外的初始访问延迟。

• 接口：
  • 支持HyperBus™接口
  • 支持1.8 V接口
  • 单端时钟（CK） - 11个总线信号
  • 可选差分时钟（CK、CK#） - 12个总线信号
  • 片选（CS#）
  • 8位数据总线（DQ[7:0]）
  • 硬件复位（RESET#）
  • 双向读写数据选通（RWDS）
  • 在所有事务开始时输出以指示刷新延迟
  • 在读取事务期间作为读取数据选通输出
  • 在写入事务期间作为写入数据掩码输入
• 性能、功耗和封装：
  • 最高时钟频率200 MHz
  • DDR - 在时钟的两个边沿传输数据
  • 数据吞吐量高达400 MBps（3,200 Mbps）
  • 可配置突发特性
  • 线性突发
  • 环绕突发长度：16字节（8个时钟）、32字节（16个时钟）、64字节（32个时钟）、128字节（64个时钟）
  • 混合选项 - 在256 Mb上先进行一次环绕突发，然后进行线性突发。不支持跨芯片边界的线性突发
  • 可配置输出驱动强度
  • 电源模式：混合睡眠模式、深度掉电
  • 阵列刷新：部分内存阵列（1/8、1/4、1/2等）、全阵列
  • 封装：24球FBGA
  • 工作温度范围：工业级（I）： -40°C至 +85°C；工业增强级（V）： -40°C至 +105°C；汽车级，AEC - Q100 3级： -40°C至 +85°C；汽车级，AEC - Q100 2级： -40°C至 +105°C；汽车级，AEC - Q100 1级： -40°C至 +125°C
• 技术：25纳米DRAM