US6M2GTR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 耐压:20V 电流:1.5A 电流:1A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- US6M2GTR
- 商品编号
- C17626992
- 商品封装
- TUMT6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A；1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V；390mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V；1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V；2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF；80pF | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- N沟道MOSFET和P沟道MOSFET采用TUMT6封装。
- 高速开关,低导通电阻。
- 低电压驱动(2.5V驱动)。
- 内置G-S保护二极管。
应用领域
-开关