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ALD110800PCL

4个N沟道耐压:10.6V

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD110800PCL
商品编号: C17626640
商品封装: PDIP-16
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

精确的零阈值电压模式
在 VGS = 0.00V 时,标称 RDS(ON) 为 104 KΩ
MOSFET 之间特性匹配
批次间参数控制严格
VGS(th) 匹配(VOS)最大为 2mV 和 10mV
正、零和负 VGS(th) 温度系数
低输入电容
低输入/输出泄漏电流

应用领域

-能量收集电路-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障检测器-低电平电压钳位和过零检测器-源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-电容式探头和传感器接口-电荷检测器和电荷积分器-差分放大器输入级-高端开关-峰值检测器和电平转换器-采样与保持-电流倍增器-模拟开关/多路复用器-电压比较器和电平转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10.6V
	连续漏极电流(Id)	12mA
	导通电阻(RDS(on))	104kΩ
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	20mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	0.1pF
	工作温度	0℃~+70℃
	配置	-
	类型	N沟道