ALD110800PCL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104kΩ@0.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 20mV@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
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