商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 达林顿晶体管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.15V | |
| 输出电流 | 80mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 35V | |
| 输出通道数 | 2 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@20mA,5mA | |
| 上升时间(tr) | 300us | |
| 下降时间 | 250us | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 600% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 800% | |
| 总功耗(Pd) | 250mW | |
| 正向电流(If) | 60mA |
商品概述
TCED2100/TCED4100由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用8引脚（双路）或16引脚（四路）塑料双列直插式封装。 这些元件安装在一个引线框架上，为满足最高安全要求，在输入和输出之间提供固定距离。
商品特性
- 隔离材料符合UL94-VO标准
- 污染等级2（DIN/VDE 0110/IEC无铅60664）
- 气候分类55/100/21（IEC 60068第1部分），符合RoHS标准
- 特殊结构：因此，典型耦合电容极低，为0.2 pF，共模抑制比高
- 电流传输比（CTR）的温度系数低
- 符合VDE 0303/IEC 60112的耐漏电起痕性能：相比漏电起痕指数CTI ≥ 175
- 额定脉冲电压（瞬态过电压）VIOTM = 8 kV峰值
- 隔离测试电压（局部放电测试电压）Vpd = 1.6 kV峰值
- 额定隔离电压（有效值，含直流）V10WM = 600 VRMS
- 额定重复峰值电压（重复性）V10RM = 848 V峰值
- 绝缘厚度 ≥ 0.75 mm
- 无铅（Pb）元件
- 元件符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC标准
应用领域
- 开关模式电源
- 线路接收器
- 计算机外设接口
- 微处理器系统接口
- 根据安全等级II（加强隔离）设计的防触电安全保护隔离电路： - 适用于电源电压 ≤ 300 V的I - IV类应用 - 适用于电源电压 ≤ 600 V的I - III类应用，或符合DIN EN 60747-5-5标准。
优惠活动
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(1000个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/管
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