商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 95W |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 基于硅基氮化镓的HEMT增强型模式放大器
- 适用于线性和饱和应用
- 可在直流至2.2 GHz范围内调谐
- 48 V工作电压
- 在2.15 GHz时增益为15 dB
- 在2.15 GHz时漏极效率为61%
- 100%射频测试
- 行业标准金属陶瓷封装
- 符合RoHS*标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 背光照明
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