VSWA2-63DR+
高隔离度吸收型单刀双掷射频开关
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- 描述
- VSWA2-63DR+是一款高隔离度吸收型单刀双掷射频开关,内置CMOS驱动器,可在单正电源电压下工作,典型电流消耗为12μA。适用于50Ω系统的500-6000MHz宽带操作,也可在75Ω系统中使用,但回波损耗会有所下降。该开关在300kHz至500MHz范围内具有反射开关性能。封装为4mmx4mmx0.9mm,MSL1等级,ESD防护等级为1A。
- 品牌名称
- Mini-Circuits
- 商品型号
- VSWA2-63DR+
- 商品编号
- C17624546
- 商品封装
- QFN-16(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.079克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | 500MHz~6GHz | |
| 隔离度 | 46dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 1dB | |
| 工作电压 | 3V~5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
VSWA2-63DR+ 是一款高隔离吸收式单刀双掷(SPDT)开关,集成了 CMOS 驱动器,采用单正电源电压供电,典型电流消耗为 12μA。它专为 50Ω 系统的 500 - 6000 MHz 超宽带操作而设计,也可用于 75Ω 系统,但回波损耗会变差。该开关在 300 kHz 至 500 MHz 的扩展频率范围内可作为反射式开关使用。它采用 4mm×4mm×0.9mm 的微型封装,湿度敏感度等级为 1 级,静电放电(ESD)等级为 1A 级。
商品特性
- 高隔离度,在 1 GHz 时典型值为 65 dB
- 低插入损耗,在 1 GHz 时典型值为 1.0 dB
- 高三阶交调截点(IP3),在 1 GHz 时典型值为 50 dBm
- 快速切换,上升/下降时间典型值为 23 ns
- 低电流消耗,典型值为 12 μA
应用领域
- 自动切换网络
- 蜂窝/个人通信服务(PCS)
- 工业、科学和医疗(ISM)频段、宽带码分多址(WCDMA)、全球微波互联接入(WiMAX)、长期演进(LTE)
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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